摘要： 本发明公开了一种具有迟滞功能的低阈值使能电路，利用PTAT基准电流源产生一个受工艺和电源电压影响较小的基准电压，用于迟滞比较器的比较基准，从而实现了使能电路的低阈值和迟滞功能，解决了现有使能电路存在无法满足部分芯片的低阈值要求以及在NMOS管的阈值电压附近存在振荡风险的问题。
申请人： 厦门新页微电子技术有限公司
地址： 361008 福建省厦门市思明区金山路8号和盛大厦11楼
发明(设计)人： 廖建平 林桂江 陈跃鸿 杨瑞聪 任连峰 杨凤炳 吴丹 沈滨旭
